MOSFET N-kanałowy 53 A ISOTOP 500 V Montaż na śrubie Pojedynczy 460 W 80 miliomów
- Nr art. RS:
- 485-7383
- Nr części producenta:
- STE53NC50
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 17.06.2024, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
176,22 zł
(bez VAT)
216,75 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 9 | 176,22 zł |
| 10 - 49 | 162,68 zł |
| 50 - 99 | 155,25 zł |
| 100 - 199 | 136,94 zł |
| 200 + | 127,76 zł |
- Nr art. RS:
- 485-7383
- Nr części producenta:
- STE53NC50
- Producent:
- STMicroelectronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V do 650V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 53 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 500 V |
| Seria | MDmesh, SuperMESH |
| Typ opakowania | ISOTOP |
| Typ montażu | Montaż na śrubie |
| Liczba styków | 4 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 80 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 460 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Długość | 38.2mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 310 nC przy 10 V |
| Szerokość | 25.5mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 9.1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -65 °C |
- Nr art. RS:
- 485-7383
- Nr części producenta:
- STE53NC50
- Producent:
- STMicroelectronics