MOSFET N-kanałowy 49 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 94 W 17,5 milioma

Nr art. RS:: 540-9777
Nr części producenta:: IRFZ44NPBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 49 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 94 W 17,5 milioma

58 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

252 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Cena netto za szt.

4,28 zł

(bez VAT)

5,26 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit
1 - 24	4,28 zł
25 - 49	4,05 zł
50 - 99	3,96 zł
100 - 249	3,78 zł
250 +	3,47 zł

Nr art. RS:: 540-9777
Nr części producenta:: IRFZ44NPBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	49 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	55 V
Typ opakowania	TO-220AB
Seria	HEXFET
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	17,5 milioma
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	94 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Liczba elementów na układ	1
Materiał tranzystora	Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	63 nC przy 10 V
Wysokość	8.77mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

Nr art. RS:: 540-9777
Nr części producenta:: IRFZ44NPBF
Producent:: Infineon