MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 125 W 180 mΩ
- Nr art. RS:
- 541-0452
- Nr części producenta:
- IRF640PBF
- Producent:
- Vishay
1550 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
10,22 zł
(bez VAT)
12,57 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 10,22 zł | 511,00 zł |
| 100 - 200 | 8,79 zł | 439,45 zł |
| 250 + | 8,18 zł | 408,85 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 541-0452
- Nr części producenta:
- IRF640PBF
- Producent:
- Vishay
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET N-Channel, od 200 V do 250 V, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 18 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 180 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 125 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 4.7mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 10.41mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 70 nC przy 10 V |
| Wysokość | 9.01mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 541-0452
- Nr części producenta:
- IRF640PBF
- Producent:
- Vishay