MOSFET N/P-kanałowy 4,7 A; 5,7 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 50 mΩ, 90 mΩ

Nr art. RS:: 541-0705
Nr części producenta:: IRF7307PBF
Producent:: Infineon

MOSFET N/P-kanałowy 4,7 A; 5,7 A SOIC 20 V SMD Izolacja 2 W 50 mΩ, 90 mΩ

Zobacz kategorię

Produkt wycofany

Nr art. RS:: 541-0705
Nr części producenta:: IRF7307PBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: MY

Szczegółowe dane produktu

Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon

Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w konstrukcjach o dużej gęstości składników, gdzie przestrzeń płyty jest bardzo duża. Dostępne są różne opcje pakietów, a projektanci mogą wybrać konfigurację dwukanałową N/P.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu	4,7 A; 5,7 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	20 V
Typ opakowania	SOIC
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	50 mΩ, 90 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	0.7V
Minimalne napięcie progowe VGS	0.7V
Maksymalna strata mocy	2 W
Konfiguracja tranzystora	Izolacja
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-12 V, +12 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	20 nC przy 4,5 V; 22 nC przy 4,5 V
Liczba elementów na układ	2
Maksymalna temperatura robocza	+150 °C
Długość	5mm
Szerokość	4mm
Materiał tranzystora	Si
Minimalna temperatura robocza	-55 °C
Seria	HEXFET
Wysokość	1.5mm

Nr art. RS:: 541-0705
Nr części producenta:: IRF7307PBF
Producent:: Infineon