MOSFET N/P-kanałowy podwójny IRF7307PBF 20 V 4,7 A; 5,7 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 541-0705
  • Nr części producenta IRF7307PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MY
Szczegółowe dane produktu

Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon

Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w konstrukcjach o dużej gęstości składników, gdzie przestrzeń płyty jest bardzo duża. Dostępne są różne opcje pakietów, a projektanci mogą wybrać konfigurację dwukanałową N/P.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,7 A; 5,7 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 50 mΩ, 90 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 0.7V
Minimalne napięcie progowe VGS 0.7V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -12 V, +12 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2 W
Szerokość 4mm
Liczba elementów na układ 2
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 20 nC przy 4,5 V; 22 nC przy 4,5 V
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Długość 5mm
Materiał tranzystora Si
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Seria HEXFET
Wysokość 1.5mm
8 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt.
3,20
(bez VAT)
3,94
(z VAT)
Sztuki
Per unit
1 - 9
3,20 zł
10 - 49
2,89 zł
50 - 99
2,62 zł
100 - 499
2,49 zł
500 +
2,26 zł
Wysyłka standardowa