MOSFET Typ N-kanałowy 30 A TO-220 55 V Rozszerzenie 3-pinowy Otwór przelotowy 68 W Infineon 35 mΩ IRLZ34NPBF

Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
Przy zakupie hurtowym dostępna zniżka

Suma częściowa (1 sztuka)*

4,59 zł

(bez VAT)

5,65 zł

(z VAT)

Add to Basket
wybierz lub wpisz ilość
W magazynie
  • 170 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty
Za jednostkę
1 - 94,59 zł
10 - 494,10 zł
50 - 993,87 zł
100 - 2493,51 zł
250 +3,42 zł

*cena orientacyjna

Nr art. RS:
541-1247
Numer artykułu Elfa Distrelec:
303-41-411
Nr części producenta:
IRLZ34NPBF
Producent:
Infineon
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie

Marka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanału

Typ N

Maksymalny ciągły prąd drenu Id

30A

Maksymalne napięcie dren-źródło Vds

55V

Typ obudowy

TO-220

Seria

HEXFET

Typ montażu

Otwór przelotowy

Liczba styków

3

Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds

35mΩ

Tryb kanałowy

Rozszerzenie

Minimalna temperatura robocza

-55°C

Maksymalna strata mocy Pd

68W

Napięcie przewodzenia Vf

1.3V

Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs

25nC

Maksymalne napięcie bramka-źródło Vgs

16 V

Maksymalna temperatura robocza

175°C

Normy/Zatwierdzenia

No

Długość

10.54mm

Wysokość

8.77mm

Szerokość

4.69 mm

Norma motoryzacyjna

Nie

Tranzystor MOSFET z serii HEXFET firmy Infineon, maksymalny ciągły prąd drenu 30 A, maksymalne rozproszenie mocy 68 W - IRLZ34NPBF


Ten wysokowydajny N-kanałowy tranzystor MOSFET został zaprojektowany z myślą o wydajności w różnych zastosowaniach elektronicznych. Jego maksymalny ciągły prąd drenu wynosi 30 A i może obsługiwać napięcia dren-źródło do 55 V. Możliwość pracy w trybie rozszerzonym zapewnia działanie w różnych warunkach, co czyni go cennym komponentem do zarządzania energią w różnych sektorach.

Cechy i zalety


• Niska rezystancja włączenia wynosząca 35 mΩ zmniejsza straty mocy

• Wysoka zdolność rozpraszania mocy 68 W zwiększa wydajność

• Zakres temperatur pracy od -55°C do +175°C zapewnia wszechstronność

• Typowy ładunek bramki wynoszący 25nC przy napięciu 5V umożliwia szybsze przełączanie

• Kompaktowa obudowa TO-220AB umożliwia wydajny układ PCB

Zastosowania


• Wykorzystywane w konwerterach DC-DC do wydajnej konwersji mocy

• Odpowiednie dla obwodów sterownika silnika w automatyce przemysłowej

• Efektywne systemy zarządzania energią odnawialną

• Używany w szybkim przełączaniu dla telekomunikacji

Jakie jest maksymalne napięcie bramka-źródło?


Urządzenie może wytrzymać maksymalne napięcie bramka-źródło ±16 V, zapewniając bezpieczną pracę w różnych obwodach.

Jak temperatura wpływa na jego wydajność?


MOSFET działa wydajnie w zakresie temperatur od -55°C do +175°C, zachowując stabilność w ekstremalnych warunkach.

Czy może być używany w aplikacjach o wysokiej częstotliwości?


Tak, został zaprojektowany z typowym ładunkiem bramki 25nC przy napięciu 5V, dzięki czemu nadaje się do zastosowań o wysokiej częstotliwości, takich jak wzmacniacze RF.

Jakie są konsekwencje niskiej wartości Rds(on)?


Niższa wartość Rds(on) znacznie zmniejsza wytwarzanie ciepła i straty mocy, poprawiając ogólną wydajność w projektach zasilaczy.

Czy jest kompatybilny z różnymi układami elektronicznymi?


Urządzenie to jest wszechstronne i może być zintegrowane z różnymi konfiguracjami obwodów, w tym elektroniką samochodową i przemysłową.

Powiązane linki