MOSFET P-kanałowy podwójny IRF7306PBF 30 V 3,6 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 542-9355
  • Nr części producenta IRF7306PBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 3.6 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 100 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 1V
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2 W
Liczba elementów na układ 2
Materiał tranzystora Si
Szerokość 4mm
Długość 5mm
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Seria HEXFET
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 25 nC przy 10 V
Wysokość 1.5mm
102 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
101 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt.
Było 3,24 zł
1,09
(bez VAT)
1,34
(z VAT)
Sztuki
Per unit
1 +
1,09 zł