MOSFET N-kanałowy 162 A I2PAK (TO-262) 40 V Pojedynczy 3.8 W 4 miliomy
- Nr art. RS:
- 543-0822
- Nr części producenta:
- IRF1404LPBF
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 27.01.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
11,70 zł
(bez VAT)
14,39 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 9 | 11,70 zł |
| 10 - 24 | 11,12 zł |
| 25 - 49 | 10,67 zł |
| 50 - 99 | 9,90 zł |
| 100 + | 9,36 zł |
- Nr art. RS:
- 543-0822
- Nr części producenta:
- IRF1404LPBF
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o mocy 40 V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 162 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Typ opakowania | I2PAK (TO-262) |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 4 miliomy |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 3.8 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 160 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Seria | HEXFET |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 10.54mm |
- Nr art. RS:
- 543-0822
- Nr części producenta:
- IRF1404LPBF
- Producent:
- Infineon