MOSFET N-kanałowy 82 A D2PAK (TO-263) 55 V SMD Pojedynczy 1.8 W 5 miliomów
- Nr art. RS:
- 641-6079
- Nr części producenta:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- Producent:
- Renesas Electronics
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
7,70 zł
(bez VAT)
9,47 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 7,70 zł | 38,48 zł |
| 25 - 45 | 7,39 zł | 36,95 zł |
| 50 - 245 | 7,20 zł | 36,00 zł |
| 250 - 495 | 7,05 zł | 35,24 zł |
| 500 + | 6,97 zł | 34,83 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 641-6079
- Nr części producenta:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- Producent:
- Renesas Electronics
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- JP
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET niskonapięciowe N-Channel o napięciu do 140V, Renesas Electronics
.
Tranzystory MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 82 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 55 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 5 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 1.8 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 9.15mm |
| Długość | 10mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 106 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 4.45mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 641-6079
- Nr części producenta:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- Producent:
- Renesas Electronics