MPN

MOSFET N-kanałowy IRF1404ZSPBF 40 V 190 A 3-Pin D2PAK (TO-263) SMD HEXFET Pojedynczy Si

Nr art. RS:
651-8759
Nr części producenta:
IRF1404ZSPBF
Producent:
Infineon
Infineon

Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Add to Basket
Sztuki

Dodano do koszyka

Cena za szt. (opak. á 5)

8,84 zł

(bez VAT)

10,88 zł

(z VAT)

SztukiPer unitZa opakowanie*
5 - 208,84 zł44,22 zł
25 - 956,80 zł34,01 zł
100 - 2455,45 zł27,26 zł
250 - 4955,12 zł25,62 zł
500 +4,78 zł23,89 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
651-8759
Nr części producenta:
IRF1404ZSPBF
Producent:
Infineon

Atesty i certyfikaty


Szczegółowe dane produktu

MOSFET o mocy 40 V, Infineon




Dane techniczne

AtrybutParametr
Typ kanałuN
Maksymalny ciągły prąd drenu190 A
Maksymalne napięcie dren-źródło40 V
Typ opakowaniaD2PAK (TO-263)
Typ montażuMontaż powierzchniowy
Liczba styków3
Maksymalna rezystancja dren-źródło4 miliomy
Tryb kanałowyRozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS4V
Minimalne napięcie progowe VGS2V
Maksymalna strata mocy220 W
Konfiguracja tranzystoraPojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ1
Wysokość4.83mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs100 nC przy 10 V
Minimalna temperatura robocza-55 °C
SeriaHEXFET
Materiał tranzystoraSi
Szerokość9.65mm
Długość10.67mm
Maksymalna temperatura robocza+175 °C
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Add to Basket
Sztuki

Dodano do koszyka

Cena za szt. (opak. á 5)

8,84 zł

(bez VAT)

10,88 zł

(z VAT)

SztukiPer unitZa opakowanie*
5 - 208,84 zł44,22 zł
25 - 956,80 zł34,01 zł
100 - 2455,45 zł27,26 zł
250 - 4955,12 zł25,62 zł
500 +4,78 zł23,89 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: