MOSFET P-kanałowy FDS6675BZ 30 V 11 A 8-Pin SOIC SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor

Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 11 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 13 mΩ
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -25 V, +25 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 8
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 2.5 W
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Wysokość 1.5mm
Seria PowerTrench
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Długość 5mm
Wymiary 5 x 4 x 1.5mm
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 120 ns
Materiał tranzystora Si
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 4mm
Typowy czas opóźnienia włączenia 3 ns
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 44 nC przy 10 V
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 1855 pF przy 15 V
40 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
285 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (opak. á 5)
4,01
(bez VAT)
4,93
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
5 - 45
4,01 zł
20,05 zł
50 - 95
3,28 zł
16,41 zł
100 - 245
3,01 zł
15,04 zł
250 - 495
2,80 zł
14,02 zł
500 +
2,60 zł
13,00 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: