MOSFET P-kanałowy 11.5 A D2PAK (TO-263) 200 V SMD Pojedynczy 3.13 W 470 mΩ
- Nr art. RS:
- 671-0860
- Nr części producenta:
- FQB12P20TM
- Producent:
- onsemi
10 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
8,20 zł
(bez VAT)
10,09 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 + | 8,20 zł | 41,00 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 671-0860
- Nr części producenta:
- FQB12P20TM
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tryb powiększenia P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
Na temat półprzewodników z serii P-Channel MOSFET produkowanych jest metodą ON Semi, o dużej gęstości komórek, opartą na technologii DMOS. Ten proces o bardzo dużej gęstości został zaprojektowany w taki sposób, aby zminimalizować odporność na zmiany stanu w celu zapewnienia solidnej i niezawodnej wydajności przy szybkim przełączaniu.
Charakterystyka i zalety:
• Przełącznik małego sygnału P-Channel sterowany napięciem
• Konstrukcja komórek o wysokiej gęstości
• Wysokie natężenie nasycenia
• Doskonałe przełączanie
• Wysoka wytrzymałość i niezawodność
• Technologia DMOS
• Konstrukcja komórek o wysokiej gęstości
• Wysokie natężenie nasycenia
• Doskonałe przełączanie
• Wysoka wytrzymałość i niezawodność
• Technologia DMOS
Zastosowania:
• Przełączanie obciążenia
• Przetwornik DC/DC
• Zabezpieczenie akumulatora
• Kontrola zarządzania energią
• Sterowanie silnikiem prądu stałego
• Przetwornik DC/DC
• Zabezpieczenie akumulatora
• Kontrola zarządzania energią
• Sterowanie silnikiem prądu stałego
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11.5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 470 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 3.13 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Długość | 10.67mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 31 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 9.65mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 4.83mm |
- Nr art. RS:
- 671-0860
- Nr części producenta:
- FQB12P20TM
- Producent:
- onsemi