MOSFET P-kanałowy 11.5 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 120 W 470 mΩ
- Nr art. RS:
- 671-5010
- Nr części producenta:
- FQP12P20
- Producent:
- onsemi
Zobacz wszystkie Tranzystory MOSFET
80 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Cena netto za szt. (opak. á 5)
11,37 zł
(bez VAT)
13,98 zł
(z VAT)
| Sztuki | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 11,37 zł | 56,83 zł |
| 25 - 95 | 9,51 zł | 47,55 zł |
| 100 - 245 | 7,28 zł | 36,41 zł |
| 250 - 495 | 6,99 zł | 34,94 zł |
| 500 + | 6,74 zł | 33,70 zł |
| *cena za opakowanie | ||
Rodzaj opakowania:
- Nr art. RS:
- 671-5010
- Nr części producenta:
- FQP12P20
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
QFET® P-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor
Dane techniczne
| Atrybut | Parametr |
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 11.5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 470 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 120 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Szerokość | 4.7mm |
| Długość | 10.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 31 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 9.4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Seria | QFET |
80 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Cena netto za szt. (opak. á 5)
11,37 zł
(bez VAT)
13,98 zł
(z VAT)
| Sztuki | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 11,37 zł | 56,83 zł |
| 25 - 95 | 9,51 zł | 47,55 zł |
| 100 - 245 | 7,28 zł | 36,41 zł |
| 250 - 495 | 6,99 zł | 34,94 zł |
| 500 + | 6,74 zł | 33,70 zł |
| *cena za opakowanie | ||
Rodzaj opakowania: