- Nr art. RS:
- 671-5010
- Nr części producenta:
- FQP12P20
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany, wysyłka nastąpi, gdy produkt będzie znowu dostępny
Cena netto za szt. (opak. á 5)
10,84 zł
(bez VAT)
13,33 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
5 - 20 | 10,84 zł | 54,19 zł |
25 - 95 | 9,05 zł | 45,26 zł |
100 - 245 | 6,95 zł | 34,73 zł |
250 - 495 | 6,67 zł | 33,37 zł |
500 + | 6,42 zł | 32,10 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 671-5010
- Nr części producenta:
- FQP12P20
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
QFET® P-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor
Nowe Fairchild Semiconductor, płaskie tranzystory MOSFET QFET®, oparte na Advanced, opatentowanej technologii, zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność operacyjną dla szerokiego zakresu zastosowań, w tym zasilaczy, przetworników PFC (Power Factor Correction), przetworników DC-DC, paneli wyświetlaczy plazmowych (PDP), stateczników oświetlenia i sterowania ruchem.
Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET.
Zapewniają one zmniejszenie strat w stanie włączonym dzięki obniżeniu rezystancji (RDS(on)) oraz zmniejszonym stratom przełączania poprzez obniżenie poziomu naładowania bramki (QG) i pojemności wyjściowej (COSS). Dzięki Advanced QFET® process Fairchild może zaoferować lepszy wskaźnik jakości (FOM) w porównaniu z konkurencyjnymi, planarnymi urządzeniami MOSFET.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | P |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 11.5 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
Typ opakowania | TO-220AB |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 470 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
Maksymalna strata mocy | 120 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
Materiał tranzystora | Si |
Szerokość | 4.7mm |
Długość | 10.1mm |
Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
Liczba elementów na układ | 1 |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 31 nC przy 10 V |
Seria | QFET |
Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
Wysokość | 9.4mm |