MOSFET N-kanałowy 9 A TO-220 800 V Pojedynczy 160 W 900 miliomów
- Nr art. RS:
- 687-5276
- Nr części producenta:
- STP10NK80Z
- Producent:
- STMicroelectronics
8 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 2)
11,03 zł
(bez VAT)
13,56 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 2 - 8 | 11,03 zł | 22,05 zł |
| 10 - 18 | 10,47 zł | 20,93 zł |
| 20 - 48 | 9,43 zł | 18,86 zł |
| 50 - 98 | 8,49 zł | 16,97 zł |
| 100 + | 8,04 zł | 16,07 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 687-5276
- Nr części producenta:
- STP10NK80Z
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V do 1200V, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 9 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 800 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Seria | MDmesh, SuperMESH |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 900 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4.5V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 160 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150 °C |
| Długość | 10.4mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 72 nC przy 10 V |
| Szerokość | 4.6mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 9.15mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
- Nr art. RS:
- 687-5276
- Nr części producenta:
- STP10NK80Z
- Producent:
- STMicroelectronics