MOSFET N-kanałowy 17 A TO-220AB 150 V Pojedynczy 80 W 95 miliomów
- Nr art. RS:
- 688-6920
- Nr części producenta:
- IRFB4019PBF
- Producent:
- Infineon
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 29.10.2024, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
7,83 zł
(bez VAT)
9,63 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 7,83 zł | 39,15 zł |
| 25 - 45 | 6,53 zł | 32,63 zł |
| 50 - 95 | 5,87 zł | 29,34 zł |
| 100 - 245 | 5,25 zł | 26,24 zł |
| 250 + | 4,82 zł | 24,08 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 688-6920
- Nr części producenta:
- IRFB4019PBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Cyfrowy MOSFET audio, Infineon
Wzmacniacze klasy D są szybko najlepszym rozwiązaniem dla profesjonalnych i domowych systemów audio i wideo. Infineon oferuje szeroką gamę, która upraszcza konstrukcję wzmacniacza klasy D o wysokiej wydajności.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 17 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 150 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 95 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4.9V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 80 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 4.82mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 13 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Długość | 10.66mm |
| Wysokość | 9.02mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |