MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 100 W 100 miliomów
- Nr art. RS:
- 688-6939
- Nr części producenta:
- IRFB4020PBF
- Producent:
- Infineon
20 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
5,69 zł
(bez VAT)
7,00 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 45 | 5,69 zł | 28,44 zł |
| 50 - 120 | 5,13 zł | 25,65 zł |
| 125 - 245 | 4,78 zł | 23,90 zł |
| 250 - 495 | 4,44 zł | 22,19 zł |
| 500 + | 4,16 zł | 20,79 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 688-6939
- Nr części producenta:
- IRFB4020PBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Cyfrowy MOSFET audio, Infineon
Wzmacniacze klasy D są szybko najlepszym rozwiązaniem dla profesjonalnych i domowych systemów audio i wideo. Infineon oferuje szeroką gamę, która upraszcza konstrukcję wzmacniacza klasy D o wysokiej wydajności.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 18 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 100 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4.9V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 100 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 4.82mm |
| Długość | 10.66mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 18 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 9.02mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |