MOSFET N-kanałowy 200 A TO-247AC 60 V Pojedynczy 280 W 3 miliomy

Nr art. RS:: 688-6989
Nr części producenta:: IRFP3206PBF
Producent:: Infineon

MOSFET N-kanałowy 200 A TO-247AC 60 V Pojedynczy 280 W 3 miliomy

36 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

82 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 2)

14,63 zł

(bez VAT)

17,99 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Za opakowanie*
2 - 18	14,63 zł	29,25 zł
20 - 48	12,72 zł	25,43 zł
50 - 98	11,86 zł	23,72 zł
100 - 198	11,12 zł	22,23 zł
200 +	10,24 zł	20,48 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 688-6989
Nr części producenta:: IRFP3206PBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

Tranzystor MOSFET, Infineon, sterowanie silnikiem i przemienny prostownik prostowniczy AC-DC

MOSFET kontroli silnika

Infineon oferuje kompleksową ofertę wytrzymałych urządzeń N-channel i P-channel MOSFET do sterowania silnikami.

Tranzystor synchroniczny MOSFET

Oferta synchronicznych urządzeń rektyfikacyjnych MOSFET do zasilaczy AC-DC zaspokaja potrzeby klientów w zakresie większej gęstości mocy, mniejszej wielkości, przenośności i bardziej elastycznych systemów.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	200 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	60 V
Typ opakowania	TO-247AC
Seria	HEXFET
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	3 miliomy
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	280 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	120 nC przy 10 V
Liczba elementów na układ	1
Maksymalna temperatura robocza	+175 °C
Materiał tranzystora	Si
Długość	15.87mm
Szerokość	5.31mm
Minimalna temperatura robocza	-55 °C
Wysokość	20.7mm

Nr art. RS:: 688-6989
Nr części producenta:: IRFP3206PBF
Producent:: Infineon