RS Components
Nasza strona wykorzystuje pliki cookie i podobne technologie, aby zapewnić lepszą obsługę podczas wyszukiwania produktów lub składania zamówień, a także w celu opracowania analiz oraz umożliwienia personalizacji naszych reklam.
 
MPN

MOSFET N-kanałowy ZXMS6005DGTA 70 V 2 A 3 + Tab-Pin SOT-223 SMD IntelliFET Pojedynczy Si


300 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Add to Basket

Cena szt. (na rolce) Ilości poniżej 150 sztuk dostarczane są na taśmie

3,64 zł

(bez VAT)

4,48 zł

(z VAT)

Sztuki

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Rodzaj opakowania:
Nr art. RS:
7385204P
Nr części producenta:
ZXMS6005DGTA
Producent:
DiodesZetex
Kraj pochodzenia:
DE
SztukiPer unit
5 +3,64 zł

Zabezpieczone samorzutnie tranzystory MOSFET IntelliFET, Diodes Inc


IntelliFET to zabezpieczone przed autotestem tranzystory MOSFET, które łączą w sobie pełną gamę obwodów zabezpieczających przed ESD (ang. Electrostatic Sensitive Device), nadmiernym prądem, zbyt wysokim napięciem i zbyt wysoką temperaturą.


Zabezpieczenie przed zwarciem z funkcją automatycznego ponownego uruchamiania
Zabezpieczenie przed przepięciem (aktywny zacisk)
Zabezpieczenie przed nadmiernym prądem
Ochrona wejścia (ESD)
Wysoki prąd ciągły
Zabezpieczenie przed rozładowaniem ładunku
Wejście poziomu logicznego


Tranzystory MOSFET, Diody Inc.

AtrybutParametr
Typ kanałuN
Maksymalny ciągły prąd drenu2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło70 V
Typ opakowaniaSOT-223
Typ montażuMontaż powierzchniowy
Liczba styków3 + Tab
Maksymalna rezystancja dren-źródło250 m Ω
Tryb kanałowyRozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS1.5V
Maksymalna strata mocy3 W
Konfiguracja tranzystoraPojedynczy
Liczba elementów na układ1
Długość6.55mm
Szerokość3.55mm
Wysokość1.65mm
Maksymalna temperatura robocza+125°C
SeriaIntelliFET
Minimalna temperatura robocza-40°C
Materiał tranzystoraSi