MOSFET P-kanałowy FDC658AP 30 V 4 A 6-Pin SOT-23 SMD PowerTrench Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® P-Channel MOSFET, firma Fairchild Semiconductor

Tranzystory PowerTTrench® MOSFET to zoptymalizowane przełączniki mocy, które zwiększają wydajność systemu i gęstość mocy. Łączą one mały ładunek (QG) bramki, mały ładunek odzyskiwania wstecznego (Qrr) i diodę miękkiego powrotu do tyłu, co przyczynia się do szybkiego przełączania synchronicznego prostownika w zasilaczach AC/DC.
Najnowsze tranzystory PowerTrench® MOSFET tworzą ekranowaną strukturę, która zapewnia równowagę opłat. Dzięki wykorzystaniu tej Advanced Technology, FOM (rysunek połączenia) tych urządzeń jest znacznie niższy niż poprzednich generacji.
Wydajność diod z miękkiej obudowy tranzystorów MOSFET PowerTTrench® pozwala wyeliminować obwody tabakowe lub zastąpić wyższy stopień napięcia MOSFET.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Typ opakowania SOT-23
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 6
Maksymalna rezystancja dren-źródło 75 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS 1V
Maksymalna strata mocy 1,6 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -25 V, +25 V
Liczba elementów na układ 1
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 6 nC przy 5 V
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Materiał tranzystora Si
Długość 3mm
Seria PowerTrench
Szerokość 1.7mm
Wysokość 1mm
370 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
205 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (opak. á 5)
2,02
(bez VAT)
2,48
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
5 - 45
2,02 zł
10,08 zł
50 - 95
1,07 zł
5,37 zł
100 - 245
0,66 zł
3,29 zł
250 - 495
0,63 zł
3,15 zł
500 +
0,61 zł
3,06 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: