MOSFET N-kanałowy 18 A TO-220 200 V Pojedynczy 110 W 125 miliomów
- Nr art. RS:
- 761-0061
- Nr części producenta:
- STP20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 16.05.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
8,67 zł
(bez VAT)
10,66 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 8,67 zł | 43,34 zł |
| 25 - 45 | 8,23 zł | 41,13 zł |
| 50 - 120 | 7,42 zł | 37,08 zł |
| 125 - 245 | 6,66 zł | 33,30 zł |
| 250 + | 6,34 zł | 31,68 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 761-0061
- Nr części producenta:
- STP20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 18 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Seria | STripFET |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 125 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 110 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 4.6mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 10.4mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 28 nC przy 10 V |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 15.75mm |
- Nr art. RS:
- 761-0061
- Nr części producenta:
- STP20NF20
- Producent:
- STMicroelectronics