MOSFET N-kanałowy 55 A D2PAK (TO-263) 60 V SMD Pojedynczy 95 W 20 miliomów
- Nr art. RS:
- 761-0405
- Nr części producenta:
- STB55NF06LT4
- Producent:
- STMicroelectronics
25 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
35 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 5)
7,46 zł
(bez VAT)
9,18 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 7,46 zł | 37,31 zł |
| 25 - 45 | 7,10 zł | 35,51 zł |
| 50 - 120 | 6,39 zł | 31,95 zł |
| 125 - 245 | 5,74 zł | 28,71 zł |
| 250 + | 5,46 zł | 27,32 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 761-0405
- Nr części producenta:
- STB55NF06LT4
- Producent:
- STMicroelectronics
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
Tranzystory MOSFET STripFET™ o szerokim zakresie napięć zasilających zapewniają bardzo niski poziom naładowania bramki i niską rezystancję.
.
Tranzystory MOSFET STMicroelectronics
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 55 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Seria | STripFET II |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 20 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 95 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -16 V, +16 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 27 nC przy 4,5 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175 °C |
| Długość | 10.75mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 10.4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55 °C |
| Wysokość | 4.6mm |
- Nr art. RS:
- 761-0405
- Nr części producenta:
- STB55NF06LT4
- Producent:
- STMicroelectronics