MOSFET N-kanałowy 29 A TO-220AB 600 V Pojedynczy 250 W 125 miliomów

Nr art. RS:: 768-9348
Nr części producenta:: SiHP30N60E-GE3
Producent:: Vishay

MOSFET N-kanałowy 29 A TO-220AB 600 V Pojedynczy 250 W 125 miliomów

Zobacz kategorię

Produkt wycofany

Nr art. RS:: 768-9348
Nr części producenta:: SiHP30N60E-GE3
Producent:: Vishay

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

N-Channel MOSFET, seria E, Low Fix-Merit, Vishay Semiconductor

Tranzystory zasilające MOSFET serii E firmy Vishay to tranzystory o wysokim napięciu wyposażone w bardzo niską maksymalną rezystancję, niską wartość mocy i szybkie przełączanie. Są one dostępne w szerokim zakresie bieżących ocen. Typowe zastosowania obejmują serwery i telekomunikacyjne zasilacze, oświetlenie LED, konwertery sygnału zwrotnego z przepuchem, korekcję współczynnika mocy (PFC) oraz zasilacze SSMPS (ang. Switch mode feeders).

Funkcje

Niski wskaźnik jakości (FOM) RDS(on) x QG
Niska pojemność wejścia (Ciss)
Niska oporność (RDS(włączone))
Bardzo niskie naładowanie bramki (QG)
Szybkie przełączanie
Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia

.

Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	29 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	600 V
Typ opakowania	TO-220AB
Typ montażu	Otwór przezierny
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	125 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	250 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Długość	10.51mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	85 nC przy 10 V
Liczba elementów na układ	1
Materiał tranzystora	Si
Szerokość	4.65mm
Wysokość	15.49mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Seria	E Series

Nr art. RS:: 768-9348
Nr części producenta:: SiHP30N60E-GE3
Producent:: Vishay