MOSFET 2 Typ N, Typ P-kanałowy 700 mA SOT-563 20 V Powierzchnia Rozszerzenie Izolowany 6-pinowy 1 W 1.5 Ω DiodesZetex
- Nr art. RS:
- 770-5109P
- Nr części producenta:
- DMC2400UV-7
- Producent:
- DiodesZetex
Suma częściowa 50 sztuk/i (dostarczane w postaci ciągłej taśmy)*
43,45 zł
(bez VAT)
53,45 zł
(z VAT)
DARMOWA wysyłka dla zamówień o wartości powyżej 330,00 zł
W magazynie
- 700 szt. do wysyłki z innej lokalizacji
Potrzebujesz więcej? Wprowadź ilość, kliknij „Sprawdź daty dostawy” dla szczegółów dostawy.
Produkty | Za jednostkę |
|---|---|
| 50 + | 0,869 zł |
*cena orientacyjna
- Nr art. RS:
- 770-5109P
- Nr części producenta:
- DMC2400UV-7
- Producent:
- DiodesZetex
Specyfikacje
Informacje techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Znajdź produkty o zbliżonych parametrach, wybierając jeden lub więcej atrybutów.
Zaznacz wszystkie | Atrybut | Wartość |
|---|---|---|
| Marka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanału | Typ N, Typ P | |
| Maksymalny ciągły prąd drenu Id | 700mA | |
| Maksymalne napięcie dren-źródło Vds | 20V | |
| Typ obudowy | SOT-563 | |
| Typ montażu | Powierzchnia | |
| Liczba styków | 6 | |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds | 1.5Ω | |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie | |
| Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs | 0.5nC | |
| Napięcie przewodzenia Vf | 0.7V | |
| Minimalna temperatura robocza | 150°C | |
| Maksymalna strata mocy Pd | 1W | |
| Maksymalna temperatura robocza | -55°C | |
| Konfiguracja tranzystora | Izolowany | |
| Normy/Zatwierdzenia | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Długość | 1.7mm | |
| Wysokość | 0.6mm | |
| Liczba elementów na układ | 2 | |
| Norma motoryzacyjna | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Zaznacz wszystkie | ||
|---|---|---|
Marka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanału Typ N, Typ P | ||
Maksymalny ciągły prąd drenu Id 700mA | ||
Maksymalne napięcie dren-źródło Vds 20V | ||
Typ obudowy SOT-563 | ||
Typ montażu Powierzchnia | ||
Liczba styków 6 | ||
Maksymalna rezystancja dren-źródło Rds 1.5Ω | ||
Tryb kanałowy Rozszerzenie | ||
Typowy ładunek bramki Qg przy określonym napięciu Vgs 0.5nC | ||
Napięcie przewodzenia Vf 0.7V | ||
Minimalna temperatura robocza 150°C | ||
Maksymalna strata mocy Pd 1W | ||
Maksymalna temperatura robocza -55°C | ||
Konfiguracja tranzystora Izolowany | ||
Normy/Zatwierdzenia AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Długość 1.7mm | ||
Wysokość 0.6mm | ||
Liczba elementów na układ 2 | ||
Norma motoryzacyjna AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- Kraj pochodzenia:
- CN