MOSFET P-kanałowy NTJS4151PT1G 20 V 4,2 A 6-Pin SOT-363 (SC-88) SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 205 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 1.2V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -12 V, +12 V
Typ opakowania SOT-363 (SC-88)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 6
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 1 W
Długość 2.2mm
Materiał tranzystora Si
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 10 nC przy 4,5 V
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 1.35mm
Wysokość 1mm
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
5600 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (na taśmie á 25)
1,04
(bez VAT)
1,28
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tape*
25 - 25
1,04 zł
26,10 zł
50 - 100
0,99 zł
24,83 zł
125 - 225
0,57 zł
14,15 zł
250 - 475
0,54 zł
13,45 zł
500 +
0,51 zł
12,80 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: