MOSFET P-kanałowy NTJS4151PT1G 20 V 4,2 A 6-Pin SOT-363 (SC-88) SMD Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET, 20V, ON Semiconductor

Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Typ opakowania SOT-363 (SC-88)
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 6
Maksymalna rezystancja dren-źródło 205 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 1.2V
Maksymalna strata mocy 1 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -12 V, +12 V
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 1.35mm
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Materiał tranzystora Si
Długość 2.2mm
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Wysokość 1mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 10 nC przy 4,5 V
5575 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (na taśmie á 25)
0,26
(bez VAT)
0,32
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tape*
25 +
0,26 zł
6,43 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: