MOSFET P-kanałowy NTMS4177PR2G 30 V 11,4 A 8-Pin SOIC SMD

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału P
Maksymalny ciągły prąd drenu 11,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 19 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 2.5V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Kategoria MOSFET zasilania
Maksymalna strata mocy 2.5 W
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 3100 pF przy -24 V
Wysokość 1.5mm
Maksymalna temperatura robocza +150 °C
Długość 5mm
Wymiary 5 x 4 x 1.5mm
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 64 ns
Minimalna temperatura robocza -55 °C
Szerokość 4mm
Liczba elementów na układ 1
Typowy czas opóźnienia włączenia 18 ns
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 29 nC przy 4,5 V
Materiał tranzystora Si
130 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 10)
2,34
(bez VAT)
2,88
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
10 - 10
2,34 zł
23,38 zł
20 - 90
1,79 zł
17,92 zł
100 - 190
1,41 zł
14,06 zł
200 - 390
1,33 zł
13,31 zł
400 +
1,30 zł
13,04 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: