MOSFET N-kanałowy SIHP12N60E-GE3 600 V 12 A 3-Pin TO-220AB E Series Pojedynczy Si

  • Nr art. RS 787-9428
  • Nr części producenta SIHP12N60E-GE3
  • Producent Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-Channel MOSFET, seria E, Low Fix-Merit, Vishay Semiconductor

Tranzystory zasilające MOSFET serii E firmy Vishay to tranzystory o wysokim napięciu wyposażone w bardzo niską maksymalną rezystancję, niską wartość mocy i szybkie przełączanie. Są one dostępne w szerokim zakresie bieżących ocen. Typowe zastosowania obejmują serwery i telekomunikacyjne zasilacze, oświetlenie LED, konwertery sygnału zwrotnego z przepuchem, korekcję współczynnika mocy (PFC) oraz zasilacze SSMPS (ang. Switch mode feeders).

Funkcje

Niski wskaźnik jakości (FOM) RDS(on) x QG
Niska pojemność wejścia (Ciss)
Niska oporność (RDS(włączone))
Bardzo niskie naładowanie bramki (QG)
Szybkie przełączanie
Ograniczenie strat przełączania i przewodzenia

Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 12 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 600 V
Typ opakowania TO-220AB
Typ montażu Otwór przezierny
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 380 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS 2V
Maksymalna strata mocy 147 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -30 V, +30 V
Liczba elementów na układ 1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 29 nC przy 10 V
Wysokość 9.01mm
Materiał tranzystora Si
Długość 10.51mm
Seria E Series
Szerokość 4.65mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Maksymalna temperatura robocza +150°C
20 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 5)
3,12
(bez VAT)
3,84
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
5 +
3,12 zł
15,59 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: