MOSFET N-kanałowy SIHP12N60E-GE3 600 V 12 A 3-Pin TO-220AB

  • Nr art. RS 787-9428
  • Nr części producenta SIHP12N60E-GE3
  • Producent Vishay
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-Channel MOSFET, E Series, Low Figure-of-Merit, Vishay Semiconductor

The E Series Power MOSFETs from Vishay are high-voltage transistors featuring ultra-low maximum on-resistance, low figure of merit and fast switching. They are available in a wide range of current ratings. Typical applications include servers and telecom power supplies, LED lighting, flyback converters, power factor correction (PFC) and switch mode power supplies (SMPS).

Features

Low figure-of-merit (FOM) RDS(on) x Qg
Low input capacitance (Ciss)
Low on-resistance (RDS(on))
Ultra-low gate charge (Qg)
Fast switching
Reduced switching and conduction losses

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 12 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 600 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 380 mΩ
Minimalne napięcie progowe VGS 2V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -30 V, +30 V
Typ opakowania TO-220AB
Typ montażu Otwór przezierny
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Liczba styków 3
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 147 W
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 29 nC przy 10 V
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Seria E Series
Liczba elementów na układ 1
Szerokość 4.65mm
Minimalna temperatura robocza -55°C
Długość 10.51mm
Wysokość 9.01mm
Materiał tranzystora Si
35 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 5)
10,35
(bez VAT)
12,74
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
5 - 45
10,35 zł
51,77 zł
50 - 245
8,07 zł
40,36 zł
250 - 995
7,48 zł
37,38 zł
1000 - 4995
6,03 zł
30,15 zł
5000 +
5,61 zł
28,06 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: