MOSFET P-kanałowy 3,7 A SOT-23 8 V SMD Pojedynczy 960 mW 120 mΩ
- Nr art. RS:
- 790-5274
- Nr części producenta:
- NTR2101PT1G
- Producent:
- onsemi
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (na taśmie á 50)
0,91 zł
(bez VAT)
1,12 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tape* |
| 50 - 50 | 0,91 zł | 45,40 zł |
| 100 - 200 | 0,39 zł | 19,45 zł |
| 250 - 450 | 0,37 zł | 18,60 zł |
| 500 - 950 | 0,36 zł | 17,95 zł |
| 1000 + | 0,34 zł | 17,20 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 790-5274
- Nr części producenta:
- NTR2101PT1G
- Producent:
- onsemi
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3,7 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 8 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 120 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 960 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -8 V, +8 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 3.04mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 12 nC przy 4,5 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 1.4mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.01mm |
- Nr art. RS:
- 790-5274
- Nr części producenta:
- NTR2101PT1G
- Producent:
- onsemi