MOSFET P-kanałowy 180 mA SOT-23 50 V SMD Pojedynczy 420 mW 7,5 oma
- Nr art. RS:
- 792-0908
- Nr części producenta:
- BSS84AK,215
- Producent:
- Nexperia
1200 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
11900 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (100 na rolce)
0,45 zł
(bez VAT)
0,55 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Reel* |
| 100 - 100 | 0,45 zł | 44,70 zł |
| 200 - 400 | 0,35 zł | 35,20 zł |
| 500 - 900 | 0,29 zł | 28,70 zł |
| 1000 - 1900 | 0,20 zł | 19,50 zł |
| 2000 + | 0,19 zł | 18,50 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 792-0908
- Nr części producenta:
- BSS84AK,215
- Producent:
- Nexperia
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 180 mA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 50 V |
| Typ opakowania | SOT-23 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7,5 oma |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.1V |
| Maksymalna strata mocy | 420 mW |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 3mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 0,26 nC przy 5 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 1.4mm |
| Wysokość | 1mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 792-0908
- Nr części producenta:
- BSS84AK,215
- Producent:
- Nexperia