- Nr art. RS:
- 792-0910
- Nr części producenta:
- BSS84AKW,115
- Producent:
- Nexperia
900 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
600 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Cena netto za szt. (100 na rolce)
0,56 zł
(bez VAT)
0,69 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Reel* |
100 - 200 | 0,56 zł | 56,00 zł |
300 - 500 | 0,54 zł | 53,90 zł |
600 - 1100 | 0,41 zł | 40,80 zł |
1200 - 2300 | 0,31 zł | 30,80 zł |
2400 + | 0,29 zł | 29,00 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 792-0910
- Nr części producenta:
- BSS84AKW,115
- Producent:
- Nexperia
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET P-Nexperia
.
Tranzystory MOSFET, półprzewodniki NXP
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | P |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 150 mA |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 50 V |
Typ opakowania | SOT-323 |
Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 7,5 oma |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
Minimalne napięcie progowe VGS | 1.1V |
Maksymalna strata mocy | 310 mW |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Szerokość | 1.35mm |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 0,26 nC przy 5 V |
Długość | 2.2mm |
Materiał tranzystora | Si |
Liczba elementów na układ | 1 |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Wysokość | 1mm |