MOSFET N-kanałowy NDFPD1N150CG 1500 V 200 mA 3-Pin TO-220F Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

MOSFET o zasilaniu N-Channel, od 100V do 1700V, ON Semiconductor

Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 200 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 1500 V
Typ opakowania TO-220F
Typ montażu Otwór przezierny
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 150 Ω
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 4V
Maksymalna strata mocy 20 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -30 V, +30 V
Liczba elementów na układ 1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 4,2 nC przy 10 V
Szerokość 10.16mm
Długość 28.85mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 4.7mm
Materiał tranzystora Si
58 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 2)
6,37
(bez VAT)
7,84
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
2 - 8
6,37 zł
12,74 zł
10 - 48
5,13 zł
10,26 zł
50 - 98
4,69 zł
9,37 zł
100 - 498
4,00 zł
7,99 zł
500 +
3,27 zł
6,53 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: