MOSFET N-kanałowy NDFPD1N150CG 1500 V 200 mA 3-Pin TO-220F Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

MOSFET o zasilaniu N-Channel, od 100V do 1700V, ON Semiconductor

Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 200 mA
Maksymalne napięcie dren-źródło 1500 V
Typ opakowania TO-220F
Typ montażu Otwór przezierny
Liczba styków 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło 150 Ω
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 4V
Maksymalna strata mocy 20 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -30 V, +30 V
Liczba elementów na układ 1
Długość 28.85mm
Materiał tranzystora Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 4,2 nC przy 10 V
Szerokość 10.16mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Wysokość 4.7mm
Przepraszamy, nie mogliśmy chwilowo sprawdzić stanów magazynowych. Prosimy odświeżyć stronę.
Cena za szt. (opak. á 2)
6,33
(bez VAT)
7,78
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
2 - 8
6,33 zł
12,65 zł
10 - 48
5,02 zł
10,03 zł
50 - 98
4,58 zł
9,15 zł
100 - 498
3,91 zł
7,81 zł
500 +
3,20 zł
6,39 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: