MOSFET N-kanałowy NTMS4807NR2G 30 V 12,2 A 8-Pin SOIC SMD Pojedynczy Si

Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

Tranzystory MOSFET, ON Semiconductor

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 12,2 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 30 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Maksymalna rezystancja dren-źródło 7.5 mΩ
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS 3V
Maksymalna strata mocy 2,3 W
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło -20 V, +20 V
Liczba elementów na układ 1
Długość 5mm
Szerokość 4mm
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Minimalna temperatura robocza -55°C
Materiał tranzystora Si
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 46 nC przy 10 V
Wysokość 1.5mm
2175 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 25)
0,97
(bez VAT)
1,19
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
25 +
0,97 zł
24,18 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: