MOSFET N-kanałowy HUF75344P3 55 V 75 A 3-Pin TO-220AB UltraFET Pojedynczy Si
- Nr art. RS 807-6689
- Nr części producenta HUF75344P3
- Producent ON Semiconductor
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UtraFET® trench łączy w sobie cechy, które umożliwiają uzyskanie wydajności w zastosowaniach konwersji mocy. Urządzenie jest w stanie wytrzymać wysoką energię w trybie lawinowym, a dioda wykazuje bardzo niski czas powrotu do tyłu i przechowywany ładunek. Optymalizacja pod kątem wydajności przy wysokich częstotliwościach, najkrótszy system RDS(on), niski poziom ESR oraz niski poziom naładowania w sumie i niski poziom naładowania przy wyjściu Millera.
Zastosowania w konwerterach DC-DC o wysokiej częstotliwości, regulatorach przełączających, sterownikach silników, przełącznikach magistrali niskiego napięcia i zarządzaniu zasilaniem.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
| Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 75 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 55 V |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 8 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 285 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Długość | 10.67mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Seria | UltraFET |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.7mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 175 nC przy 20 V |
| Wysokość | 16.3mm |
