MOSFET N-kanałowy HUF75344P3 55 V 75 A 3-Pin TO-220AB UltraFET Pojedynczy Si
40 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Dodano do koszyka
Rodzaj opakowania:
- Nr art. RS:
- 807-6689
- Nr części producenta:
- HUF75344P3
- Producent:
- ON Semiconductor
| Sztuki | Per unit | Za opakowanie* |
| 5 - 20 | 10,20 zł | 51,02 zł |
| 25 - 45 | 9,23 zł | 46,13 zł |
| 50 - 120 | 8,68 zł | 43,38 zł |
| 125 - 245 | 7,97 zł | 39,87 zł |
| 250 + | 7,33 zł | 36,67 zł |
| *cena za opakowanie | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
| Atrybut | Parametr |
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 75 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 55 V |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 8 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 285 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Długość | 10.67mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 175 nC przy 20 V |
| Wysokość | 16.3mm |
| Szerokość | 4.7mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Seria | UltraFET |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |