MOSFET N-kanałowy 69 A TO-3PN 250 V Pojedynczy 480 W 41 miliomów
- Nr art. RS:
- 809-0792
- Nr części producenta:
- FDA69N25
- Producent:
- onsemi
Zapas chwilowo wyczerpany — zamówienie oczekujące na wysłanie w dniu 14.05.2025, dostawa w ciągu 4 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
20,92 zł
(bez VAT)
25,73 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 20,92 zł |
| 5 - 9 | 15,79 zł |
| 10 - 49 | 14,43 zł |
| 50 - 99 | 13,63 zł |
| 100 + | 12,50 zł |
- Nr art. RS:
- 809-0792
- Nr części producenta:
- FDA69N25
- Producent:
- onsemi
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
UniFET™ MOSFET to Fairchild Semiconductor Charakteryzuje się najmniejszą rezystancją w stanie rzeczywistym wśród płaskich tranzystorów MOSFET, a także zapewnia doskonałe parametry przełączania i większą lawinową moc. Ponadto wewnętrzna dioda elektrostatyczna Otworu Wtryskowego umożliwia przeciąganie MOSFET UniFET-II™ o napięciu ponad 2000V HBM.
Tranzystory UniFET™ MOSFET są odpowiednie do przełączania aplikacji przetworników mocy, takich jak korekcja współczynnika mocy (PFC), zasilanie telewizora z płaskim ekranem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) i stateczniki lamp elektronicznych.
Tranzystory UniFET™ MOSFET są odpowiednie do przełączania aplikacji przetworników mocy, takich jak korekcja współczynnika mocy (PFC), zasilanie telewizora z płaskim ekranem (FPD), ATX (Advanced Technology eXtended) i stateczniki lamp elektronicznych.
.
Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym
On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 69 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 250 V |
| Typ opakowania | TO-3PN |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 41 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 480 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 77 nC przy 10 V |
| Szerokość | 5mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Długość | 15.8mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 20.1mm |
| Seria | UniFET |
- Nr art. RS:
- 809-0792
- Nr części producenta:
- FDA69N25
- Producent:
- onsemi