MOSFET N/P-kanałowy 3 A; 3,5 A 1206 ChipFET 20 V SMD Izolacja 3,1 W 85 mΩ, 255 mΩ
- Nr art. RS:
- 818-1330
- Nr części producenta:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 818-1330
- Nr części producenta:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Producent:
- Vishay
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
Podwójny MOSFET N/P-Channel, Vishay Semiconductor
.
Tranzystory MOSFET, Vishay Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N, P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 3 A; 3,5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 20 V |
| Typ opakowania | 1206 ChipFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 85 mΩ, 255 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 0.6V |
| Maksymalna strata mocy | 3,1 W |
| Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +12 V |
| Szerokość | 1.7mm |
| Długość | 3.1mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 2,8 nC przy 5 V; 3,9 nC przy 5 V |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.1mm |
- Nr art. RS:
- 818-1330
- Nr części producenta:
- SI5513CDC-T1-GE3
- Producent:
- Vishay