MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2 A; 4,5 A TSOT-26 30 V SMD Izolacja 1,3 W 85 mΩ, 190 mΩ
- Nr art. RS:
- 823-2915
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex
22300 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 50)
1,58 zł
(bez VAT)
1,94 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 50 - 550 | 1,58 zł | 78,95 zł |
| 600 - 1450 | 0,69 zł | 34,35 zł |
| 1500 + | 0,55 zł | 27,40 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 823-2915
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Podwójny MOSFET N/P-Channel, Diodes Inc.
.
Tranzystory MOSFET, Diody Inc.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N, P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 2 A; 4,5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | TSOT-26 |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 6 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 85 mΩ, 190 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 1,3 W |
| Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -12 V, +12 V |
| Szerokość | 1.6mm |
| Długość | 2.9mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 12,3 nC przy 10 V, 13,8 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Wysokość | 0.9mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 823-2915
- Nr części producenta:
- DMG6601LVT-7
- Producent:
- DiodesZetex