MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2,5 A; 7,8 A SOIC 30 V SMD Pełny mostek 1,5 W 40 mΩ, 80 mΩ

50 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

340 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (opak. á 10)

4,35 zł

(bez VAT)

5,35 zł

(z VAT)

Dane techniczne

Tranzystory MOSFET, Diody Inc.

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu	2,5 A; 7,8 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	SOIC
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	8
Maksymalna rezystancja dren-źródło	40 mΩ, 80 mΩ
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	1,5 W
Konfiguracja tranzystora	Pełny mostek
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Liczba elementów na układ	4
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	11,4 nC przy 10 V, 11,7 nC przy 10 V
Maksymalna temperatura robocza	+150°C
Materiał tranzystora	Si
Szerokość	3.95mm
Długość	4.95mm
Wysokość	1.5mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C