- Nr art. RS:
- 826-6911
- Nr części producenta:
- SCT2450KEC
- Producent:
- ROHM
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
18,19 zł
(bez VAT)
22,37 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit |
1 - 4 | 18,19 zł |
5 - 6 | 17,81 zł |
7 - 14 | 17,17 zł |
15 - 29 | 15,85 zł |
30 + | 13,73 zł |
- Nr art. RS:
- 826-6911
- Nr części producenta:
- SCT2450KEC
- Producent:
- ROHM
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET N-Channel, ROHM
Silikonowe tranzystory MOSFET (SiC) charakteryzują się mniejszymi stratami przełączania i wyższymi charakterystykami roboczymi w wysokiej temperaturze niż ich silikonowe odpowiedniki. Idealnie nadają się do wysokowydajnych zastosowań z przełączaniem wysokiej częstotliwości.
.
Tranzystory MOSFET, ROHM Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 1200 V |
Typ opakowania | TO-247 |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 610 mΩ |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
Maksymalna strata mocy | 85 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Długość | 15.9mm |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 27 nC przy 18 V |
Liczba elementów na układ | 1 |
Materiał tranzystora | SiC |
Szerokość | 20.95mm |
Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
Wysokość | 5.03mm |
- Nr art. RS:
- 826-6911
- Nr części producenta:
- SCT2450KEC
- Producent:
- ROHM