Tranzystor MOSFET N-kanałowy 10 A TO-247 1200 V Pojedynczy 85 W 610 mΩ
- Nr art. RS:
- 826-6911
- Nr części producenta:
- SCT2450KEC
- Producent:
- ROHM
W magazynie, dostawa w ciągu 5 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt.
18,19 zł
(bez VAT)
22,37 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit |
| 1 - 4 | 18,19 zł |
| 5 - 6 | 17,81 zł |
| 7 - 14 | 17,17 zł |
| 15 - 29 | 15,85 zł |
| 30 + | 13,73 zł |
- Nr art. RS:
- 826-6911
- Nr części producenta:
- SCT2450KEC
- Producent:
- ROHM
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Tranzystory MOSFET N-Channel, ROHM
Silikonowe tranzystory MOSFET (SiC) charakteryzują się mniejszymi stratami przełączania i wyższymi charakterystykami roboczymi w wysokiej temperaturze niż ich silikonowe odpowiedniki. Idealnie nadają się do wysokowydajnych zastosowań z przełączaniem wysokiej częstotliwości.
.
Tranzystory MOSFET, ROHM Semiconductor
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 10 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 1200 V |
| Typ opakowania | TO-247 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 610 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Maksymalna strata mocy | 85 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Długość | 15.9mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 27 nC przy 18 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Materiał tranzystora | SiC |
| Szerokość | 20.95mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Wysokość | 5.03mm |
- Nr art. RS:
- 826-6911
- Nr części producenta:
- SCT2450KEC
- Producent:
- ROHM