MOSFET N/P-kanałowy podwójny IRF7307TRPBF 20 V 4,7 A; 5,7 A 8-Pin SOIC SMD

  • Nr art. RS 826-8857
  • Nr części producenta IRF7307TRPBF
  • Producent Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Kraj pochodzenia: MY
Szczegółowe dane produktu

Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N, P
Maksymalny ciągły prąd drenu 4,7 A; 5,7 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 20 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 70 mΩ, 140 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 0.7V
Minimalne napięcie progowe VGS 0.7V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -12 V, +12 V
Typ opakowania SOIC
Typ montażu Montaż powierzchniowy
Liczba styków 8
Konfiguracja tranzystora Izolacja
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 2 W
Minimalna temperatura robocza -55°C
Wysokość 1.5mm
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 20 nC przy 4,5 V; 22 nC przy 4,5 V
Seria HEXFET
Liczba elementów na układ 2
Długość 5mm
Szerokość 4mm
Materiał tranzystora Si
Maksymalna temperatura robocza +150°C
5800 W magazynie, dostawa w ciągu 2 dni roboczych UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
Cena za szt. (opak. á 20)
0,97
(bez VAT)
1,20
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Za opakowanie*
20 +
0,97 zł
19,44 zł
*cena za opakowanie
Wysyłka standardowa
Rodzaj opakowania: