MOSFET N/P-kanałowy-kanałowy 2,3 A; 3,5 A SOIC 30 V SMD Izolacja 2 W 150 mΩ, 400 mΩ
- Nr art. RS:
- 827-3934
- Nr części producenta:
- IRF9952TRPBF
- Producent:
- Infineon
120 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
1340 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 20)
2,92 zł
(bez VAT)
3,59 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 20 - 80 | 2,92 zł | 58,34 zł |
| 100 - 180 | 2,25 zł | 44,94 zł |
| 200 - 480 | 2,10 zł | 41,98 zł |
| 500 - 980 | 1,96 zł | 39,10 zł |
| 1000 + | 1,81 zł | 36,14 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 827-3934
- Nr części producenta:
- IRF9952TRPBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Podwójny MOSFET o mocy N/P, Infineon
Infineon tranzystory MOSFET o podwójnym zasilaniu integrują dwa urządzenia HEXFET®, aby zapewnić oszczędność miejsca i ekonomiczne rozwiązania przełączania w konstrukcjach o dużej gęstości składników, gdzie przestrzeń płyty jest bardzo duża. Dostępne są różne opcje pakietów, a projektanci mogą wybrać konfigurację dwukanałową N/P.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N, P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 2,3 A; 3,5 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SOIC |
| Seria | HEXFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 150 mΩ, 400 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 2 W |
| Konfiguracja tranzystora | Izolacja |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 5mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 6,1 nC przy 10 V, 6,9 nC przy 10 V |
| Szerokość | 4mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 1.5mm |
- Nr art. RS:
- 827-3934
- Nr części producenta:
- IRF9952TRPBF
- Producent:
- Infineon