MOSFET P-kanałowy 6,6 A DPAK (TO-252) 100 V SMD Pojedynczy 40 W 480 miliomów
- Nr art. RS:
- 827-4082
- Nr części producenta:
- IRFR9120NTRPBF
- Producent:
- Infineon
160 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
180 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 20)
3,35 zł
(bez VAT)
4,12 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 20 - 80 | 3,35 zł | 66,92 zł |
| 100 - 180 | 2,61 zł | 52,20 zł |
| 200 - 480 | 2,44 zł | 48,88 zł |
| 500 - 980 | 2,28 zł | 45,54 zł |
| 1000 + | 2,11 zł | 42,18 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 827-4082
- Nr części producenta:
- IRFR9120NTRPBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- CN
Szczegółowe dane produktu
P-Channel Power MOSFET o Infineon 100V do 150V.
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | P |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 6,6 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 100 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | DPAK (TO-252) |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 480 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 40 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Szerokość | 6.22mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Długość | 6.73mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 27 nC przy 10 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 2.39mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 827-4082
- Nr części producenta:
- IRFR9120NTRPBF
- Producent:
- Infineon