MOSFET N-kanałowy 169 A TO-220 60 V Pojedynczy 250 W 5.3 mΩ
- Nr art. RS:
- 827-4880
- Nr części producenta:
- CSD18532KCS
- Producent:
- Texas Instruments
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 827-4880
- Nr części producenta:
- CSD18532KCS
- Producent:
- Texas Instruments
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
.
Tranzystory MOSFET, Texas Instruments
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 169 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 60 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 5.3 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.2V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1.5V |
| Maksymalna strata mocy | 250 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Długość | 10.67mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 21 nC przy 4,5 V |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Szerokość | 4.7mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Seria | NexFET |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Wysokość | 16.51mm |
- Nr art. RS:
- 827-4880
- Nr części producenta:
- CSD18532KCS
- Producent:
- Texas Instruments