Moduł MOSFET N-kanałowy 120 A SON 30 V SMD Szereg 12 W 1.2 mΩ, 5 mΩ
- Nr art. RS:
- 827-4943
- Nr części producenta:
- CSD87350Q5D
- Producent:
- Texas Instruments
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 827-4943
- Nr części producenta:
- CSD87350Q5D
- Producent:
- Texas Instruments
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Moduły Power MOSFET, Texas Instruments
Półmost NexFET Power Block
.
Tranzystory MOSFET, Texas Instruments
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 120 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 30 V |
| Typ opakowania | SON |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 8 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 1.2 mΩ, 5 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 2.1V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 1V |
| Maksymalna strata mocy | 12 W |
| Konfiguracja tranzystora | Szereg |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | +8 V |
| Długość | 6.1mm |
| Liczba elementów na układ | 2 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 20 nC przy 4,5 V, 8,4 nC przy 4,5 V |
| Szerokość | 5.1mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
| Seria | NexFET |
| Wysokość | 1.5mm |
- Nr art. RS:
- 827-4943
- Nr części producenta:
- CSD87350Q5D
- Producent:
- Texas Instruments