MOSFET N-kanałowy 24 A TO-220AB 200 V Pojedynczy 170 W 100 mΩ
- Nr art. RS:
- 865-5787
- Nr części producenta:
- IRFB23N20DPBF
- Producent:
- Infineon
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 865-5787
- Nr części producenta:
- IRFB23N20DPBF
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
N-Channel Power MOSFET o napięciu od 150V do 600V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 24 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 200 V |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 100 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 5.5V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 3V |
| Maksymalna strata mocy | 170 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 57 nC przy 10 V |
| Długość | 10.54mm |
| Materiał tranzystora | Si |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Szerokość | 19.3mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 4.69mm |
| Seria | HEXFET |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |