- Nr art. RS:
- 871-4915
- Nr części producenta:
- MDF11N60BTH
- Producent:
- MagnaChip
Ten produkt jest niedostępny.
Przepraszamy, ale obecnie nie posiadamy tego produktu w magazynie i nie ma możliwości jego zamówienia.
Cena netto za szt. (w tubie á 10)
4,34 zł
(bez VAT)
5,34 zł
(z VAT)
Produkty | Per unit | Per Tube* |
10 - 40 | 4,34 zł | 43,38 zł |
50 - 90 | 3,99 zł | 39,90 zł |
100 - 240 | 3,75 zł | 37,51 zł |
250 - 490 | 3,45 zł | 34,50 zł |
500 + | 3,18 zł | 31,77 zł |
*cena za opakowanie |
- Nr art. RS:
- 871-4915
- Nr części producenta:
- MDF11N60BTH
- Producent:
- MagnaChip
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o wysokim napięciu (HV)
Tranzystor MOSFET o wysokim napięciu, z niskim stopniem rezystancji i wysoką wydajnością przełączania.
.
Tranzystory MOSFET, MagnaChip
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
---|---|
Typ kanału | N |
Maksymalny ciągły prąd drenu | 11 A |
Maksymalne napięcie dren-źródło | 660 V |
Typ opakowania | TO-220F |
Typ montażu | Otwór przezierny |
Liczba styków | 3 |
Maksymalna rezystancja dren-źródło | 550 miliomów |
Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
Maksymalne napięcie progowe VGS | 5V |
Maksymalna strata mocy | 49 W |
Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
Długość | 10.71mm |
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 38,4 nC przy 10 V |
Liczba elementów na układ | 1 |
Szerokość | 4.93mm |
Materiał tranzystora | Si |
Wysokość | 16.13mm |
Minimalna temperatura robocza | -55°C |
Napięcie przewodzenia diody | 1.4V |