MOSFET N-kanałowy MDF11N60BTH 660 V 11 A 3-Pin TO-220F

  • Nr art. RS 871-4915
  • Nr części producenta MDF11N60BTH
  • Producent MagnaChip
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
Zgodne z RoHS
Szczegółowe dane produktu

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Dane techniczne
Atrybut Parametr
Typ kanału N
Maksymalny ciągły prąd drenu 11 A
Maksymalne napięcie dren-źródło 660 V
Maksymalna rezystancja dren-źródło 550 mΩ
Maksymalne napięcie progowe VGS 5V
Maksymalne napięcie bramka-źródło -30 V, +30 V
Typ opakowania TO-220F
Typ montażu Otwór przezierny
Liczba styków 3
Konfiguracja tranzystora Pojedynczy
Tryb kanałowy Rozszerzenie
Maksymalna strata mocy 49 W
Typowa reaktancja pojemnościowa na wejściu przy określonym napięciu Vds 1700 pF przy 25 V
Napięcie przewodzenia diody 1.4V
Transkonduktancja przewodzenia 13S
Materiał tranzystora Si
Typowy czas opóźnienia włączenia 38 ns
Minimalna temperatura robocza -55°C
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs 38,4 nC przy 10 V
Długość 10.71mm
Wymiary 10.71 x 4.93 x 16.13mm
Wysokość 16.13mm
Liczba elementów na układ 1
Maksymalna temperatura robocza +150°C
Typowy czas opóźnienia wyłączenia 76 ns
Szerokość 4.93mm
330 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia
270 kolejnych dostępnych ciągu 1 dni roboczych
Cena za szt. (w tubie á 10)
4,17
(bez VAT)
5,13
(z VAT)
Sztuki
Per unit
Per Tube*
10 - 40
4,17 zł
41,74 zł
50 - 190
3,55 zł
35,50 zł
200 - 490
3,13 zł
31,33 zł
500 +
2,71 zł
27,12 zł
*cena za opakowanie
Rodzaj opakowania: