MOSFET N-kanałowy 522 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD Pojedynczy 375 W 750 mikroomów
- Nr art. RS:
- 872-4202
- Nr części producenta:
- IRFS7430TRL7PP
- Producent:
- Infineon
32 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
40 Dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać o 1 dzień roboczy dłużej w zależności od miejsca doręczenia.
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (opak. á 4)
6,31 zł
(bez VAT)
7,77 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Za opakowanie* |
| 4 + | 6,31 zł | 25,25 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 872-4202
- Nr części producenta:
- IRFS7430TRL7PP
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Zwolniony
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o mocy 40 V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 522 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 40 V |
| Typ opakowania | D2PAK (TO-263) |
| Seria | HEXFET |
| Typ montażu | Montaż powierzchniowy |
| Liczba styków | 6 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 750 mikroomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 3.9V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2.2V |
| Maksymalna strata mocy | 375 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Długość | 10.67mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 305 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 9.65mm |
| Napięcie przewodzenia diody | 1.2V |
| Wysokość | 4.83mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 872-4202
- Nr części producenta:
- IRFS7430TRL7PP
- Producent:
- Infineon