MOSFET N-kanałowy 30 A TO-220 650 V Pojedynczy 219 W 125 miliomów
- Nr art. RS:
- 897-7567
- Nr części producenta:
- IPP60R125C6XKSA1
- Producent:
- Infineon
Produkt wycofany
- Nr art. RS:
- 897-7567
- Nr części producenta:
- IPP60R125C6XKSA1
- Producent:
- Infineon
Atesty i certyfikaty
Szczegółowe dane produktu
Infineon CoolMOS™ C6/C7
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 30 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 650 V |
| Typ opakowania | TO-220 |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 125 miliomów |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalna strata mocy | 219 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -30 V, +30 V |
| Długość | 10.36mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 96 nC przy 10 V |
| Szerokość | 15.95mm |
| Maksymalna temperatura robocza | +150°C |
| Materiał tranzystora | Si |
| Seria | CoolMOS C6 |
| Napięcie przewodzenia diody | 0.9V |
| Wysokość | 4.57mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 897-7567
- Nr części producenta:
- IPP60R125C6XKSA1
- Producent:
- Infineon