MOSFET N-kanałowy 46 A DPAK (TO-252) 30 V SMD Pojedynczy 56 W 19 miliomów

Nr art. RS:: 903-4144
Nr części producenta:: FDD6690A
Producent:: ON Semiconductor

MOSFET N-kanałowy 46 A DPAK (TO-252) 30 V SMD Pojedynczy 56 W 19 miliomów

Zobacz kategorię

Produkt wycofany

Nr art. RS:: 903-4144
Nr części producenta:: FDD6690A
Producent:: ON Semiconductor

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Szczegółowe dane produktu

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A do 19.9A, Fairchild Semiconductor

.

Tranzystory MOSFET, WŁ. W stanie półgodzinnym

On Semi oferuje szeroką gamę urządzeń MOSFET, które obejmują modele wysokonapięciowe (>250V) i niskonapięciowe (<250V). Advanced krzem Technology zapewnia mniejsze rozmiary matrycy, które są wbudowane w wiele standardowych i ulepszonych termicznie pakietów.
Tranzystory MOSFET Semi zapewniają wyjątkową niezawodność konstrukcji, począwszy od szybkich i wyprzedzających szczytów napięcia, aż po mniejszą pojemność przyłączeniową i odwrotny ładunek regeneracyjny, co eliminuje dodatkowe elementy zewnętrzne w celu utrzymania sprawności i wydłużenia pracy systemów.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	N
Maksymalny ciągły prąd drenu	46 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	30 V
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	19 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Minimalne napięcie progowe VGS	1V
Maksymalna strata mocy	56 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Długość	6.73mm
Szerokość	6.22mm
Liczba elementów na układ	1
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	13 nC przy 5 V
Materiał tranzystora	Si
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Seria	PowerTrench
Napięcie przewodzenia diody	1.2V
Wysokość	2.39mm
Minimalna temperatura robocza	-55°C

Nr art. RS:: 903-4144
Nr części producenta:: FDD6690A
Producent:: ON Semiconductor