MOSFET N-kanałowy 75 A TO-220AB 55 V Pojedynczy 330 W 4.7 mΩ
- Nr art. RS:
- 912-8687
- Nr części producenta:
- IRF2805PBF
- Producent:
- Infineon
2100 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.
Wysyłka standardowa
Dodano do koszyka
Cena netto za szt. (w tubie á 50)
7,52 zł
(bez VAT)
9,25 zł
(z VAT)
| Produkty | Per unit | Per Tube* |
| 50 - 50 | 7,52 zł | 375,85 zł |
| 100 - 200 | 7,14 zł | 357,05 zł |
| 250 - 450 | 6,84 zł | 342,00 zł |
| 500 - 950 | 6,39 zł | 319,45 zł |
| 1000 + | 6,01 zł | 300,70 zł |
| *cena za opakowanie | ||
- Nr art. RS:
- 912-8687
- Nr części producenta:
- IRF2805PBF
- Producent:
- Infineon
Dane techniczne
Atesty i certyfikaty
- Kraj pochodzenia:
- MX
Szczegółowe dane produktu
MOSFET o mocy N-Channel 55 V, Infineon
Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia N-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.
.
Tranzystory MOSFET, Infineon
Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.
Dane techniczne
Atrybut | Parametr |
|---|---|
| Typ kanału | N |
| Maksymalny ciągły prąd drenu | 75 A |
| Maksymalne napięcie dren-źródło | 55 V |
| Seria | HEXFET |
| Typ opakowania | TO-220AB |
| Typ montażu | Otwór przezierny |
| Liczba styków | 3 |
| Maksymalna rezystancja dren-źródło | 4.7 mΩ |
| Tryb kanałowy | Rozszerzenie |
| Maksymalne napięcie progowe VGS | 4V |
| Minimalne napięcie progowe VGS | 2V |
| Maksymalna strata mocy | 330 W |
| Konfiguracja tranzystora | Pojedynczy |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło | -20 V, +20 V |
| Maksymalna temperatura robocza | +175°C |
| Długość | 10.67mm |
| Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs | 150 nC przy 10 V |
| Materiał tranzystora | Si |
| Szerokość | 4.83mm |
| Liczba elementów na układ | 1 |
| Wysokość | 16.51mm |
| Minimalna temperatura robocza | -55°C |
- Nr art. RS:
- 912-8687
- Nr części producenta:
- IRF2805PBF
- Producent:
- Infineon