MOSFET N-kanałowy 240 A; 522 A D2PAK (TO-263) 40 V SMD Pojedynczy 375 W 750 mikroomów

Tranzystory zasilające Infineon MOSFET MOSFET o parametrach zbliżonych do bardzo niskiej rezystancji (RDS(on)), bardzo niskiej utracie przewodności, co powoduje bardzo wysoką szybkość przełączania sygnałów o wysokim natężeniu. Zapewniają one większą wydajność, gęstość mocy i niezawodność w trudnych środowiskach sygnałowych, wysoką wydajność w warunkach lawiny, niewielkie straty przewodzenia, szybkie przełączanie i maksymalną temperaturę połączenia 175°C.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.