MOSFET P-kanałowy 31 A DPAK (TO-252) 55 V SMD Pojedynczy 110 W 65 miliomów

Nr art. RS:: 913-4789
Nr części producenta:: IRFR5305TRPBF
Producent:: Infineon

MOSFET P-kanałowy 31 A DPAK (TO-252) 55 V SMD Pojedynczy 110 W 65 miliomów

4000 W magazynie, dostawa w ciągu 1 dni roboczych. UWAGA: Dostawa może potrwać dłużej z powodu odprawy celnej.

Wysyłka standardowa

Dodano do koszyka

Cena netto za szt. (2000 na rolce)

2,36 zł

(bez VAT)

2,90 zł

(z VAT)

Produkty	Per unit	Per Reel*
2000 - 2000	2,36 zł	4 710,00 zł
4000 +	2,24 zł	4 476,00 zł
*cena za opakowanie

Nr art. RS:: 913-4789
Nr części producenta:: IRFR5305TRPBF
Producent:: Infineon

Dane techniczne

Atesty i certyfikaty

Kraj pochodzenia:: MX

Szczegółowe dane produktu

Wzmacniacz P-Channel Power MOSFET o napięciu od 40 V do 55 V, Infineon

Seria Infineon tranzystorów zasilających MOSFET HEXFET® zawiera urządzenia P-kanałowe w pakietach do montażu powierzchniowego i ołowiowych oraz czynniki kształtowe, które mogą sprostać niemal wszelkim wyzwaniom w zakresie układu płyty i konstrukcji termicznej. W całym zakresie testów odporności przyczynia się do zmniejszenia strat związanych z przewodzeniem, co pozwala projektantom na zapewnienie optymalnej wydajności systemu.

.

Tranzystory MOSFET, Infineon

Infineon oferuje szeroką i kompleksową ofertę urządzeń MOSFET, w tym rodziny CoolMOS, OptiMOS i StrongIRFET. Zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność, aby zwiększyć wydajność, gęstość mocy i efektywność pod względem kosztów. Projekty wymagające wysokiej jakości i ulepszonych funkcji zabezpieczających są oparte na standardach branżowych MOSFET klasy automotive.

Dane techniczne

Atrybut	Parametr
Typ kanału	P
Maksymalny ciągły prąd drenu	31 A
Maksymalne napięcie dren-źródło	55 V
Typ opakowania	DPAK (TO-252)
Seria	HEXFET
Typ montażu	Montaż powierzchniowy
Liczba styków	3
Maksymalna rezystancja dren-źródło	65 miliomów
Tryb kanałowy	Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS	4V
Minimalne napięcie progowe VGS	2V
Maksymalna strata mocy	110 W
Konfiguracja tranzystora	Pojedynczy
Maksymalne napięcie bramka-źródło	-20 V, +20 V
Typowy ładunek bramki przy określonym napięciu Vgs	63 nC przy 10 V
Liczba elementów na układ	1
Maksymalna temperatura robocza	+175°C
Długość	6.73mm
Szerokość	6.22mm
Materiał tranzystora	Si
Minimalna temperatura robocza	-55°C
Wysokość	2.39mm

Nr art. RS:: 913-4789
Nr części producenta:: IRFR5305TRPBF
Producent:: Infineon